| 仕様 |
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【FIB部】
分解能： 5nm
(30kV, WD6m, 2次電子像)
像の種類： 2次電子像
【SEM部】
分解能： 2.5nm (30kV, WD6m, 2次電子像)
像の種類： 2次電子像、
反射電子像
【ステージ】
試料移動： 6軸 (X, Y, R, T, Z, fineZ)
最大試料サイズ： 5mmφ
【ガスインジェクションシステム】
ガス材料： Ｃ, W
デポジション性能： 約5μm3/min @C
【マイクロプローブ機構】
OmniProbe社製 AutoProbe300 |
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| FIB (Focused Ion Beam )は集束したイオンビームを試料に照射して加工や観察を行う技術です。微細加工はもとより試料内部の所望位置の構造を切り出すことができるため3次元デバイスや高機能材料の構造解析ができます。本装置はFIBにSEM(Scanning Electron Microscope)が取り付けられた装置であり、FIBによる加工箇所をSEMによりダメージレスで観察できることが特徴です。また、FIBによる切り出しとその面のSEM観察を繰り返すことで材料の3次元構造像を得ることもできます。さらに、マイクロプローブ機構を搭載しているためFIBにより製作した微細構造物をピックアップすることができ、透過電子顕微鏡用試料作製によく利用されます。 |
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